10月25日上午，第五届全国宽禁带半导体学术会议在苏州工业园区拉开序幕。大会为期三天，将围绕材料生长、分析表征、相关装备技术，以及宽禁带半导体在光电子、功率电子的应用，在前沿交叉领域的进展等主题展开交流探讨，推动宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展，赋能第三代半导体产业创新发展。大会吸引了来自科研院所、高校、行业领域相关企业的近700位专家、学者参会。中国科学院院士、北京大学教授甘子钊，中国科学院院士、南京大学教授郑有炓，中国科学院院士、国家自然科学基金委信息学部主任、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）主任郝跃，中国科学院院士、南昌大学教授江风益等参加会议。

郝跃在致辞中指出，当前正值全球半导体格局重塑的关键时期，而宽禁带半导体正成为全球高技术竞争战略制高点之一，也是国际半导体材料及设备领域研究和发展的热点。通过此次大会，全国各地宽禁带半导体领域的专家、学者和业界代表齐聚一堂，共同探讨科学技术和产业方向，将有力促进宽禁带半导体技术交流和产业发展。

全国宽禁带半导体学术会议由中国电子学会和中国有色金属学会共同主办，每两年一届，迄今已在苏州、西宁、西安、厦门举办四届，会议规模和影响力不断增强，已成为国内宽禁带半导体领域的学术盛会。

本届大会由苏州实验室、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所共同承办。大会在短短两周内收到300余份摘要，经组委会讨论，共推选出11个大会报告，在四个主题方向上共选出63个分会特邀报告，87个口头报告，现场还有120个张贴报告，将聚焦宽禁带半导体领域学术与产业方向，展开深入交流。

在大会报告环节，相关专家围绕《宽禁带半导体光电子器件》《深紫外LED研究进展》《氮化镓晶体的生长、缺陷与性能》等主题展开分享。大会分会场则围绕“材料生长、表征与装备”、“光电子器件与应用”、“功率电子器件与应用”、“超宽禁带半导体与前沿交叉”等内容进行探讨。

作为国内较早布局第三代半导体产业的区域，园区近年来推出“组合拳”举措，持续提高在第三代半导体领域的科技创新能力，扩大国家第三代半导体技术创新中心苏州平台的行业影响力。今年以来，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）的建设稳步推进，在体制机制建设、关键核心技术攻关、高层次人才引进、重大公共平台建设、协同创新网络布局、创新产业生态营造等方面取得丰硕成果。

来源：苏州工业园区融媒体中心